Mosfet FQP13N10 N-Channel QFET®

Mosfet im TO-220 Gehäuse

Beschriftung: FQP13N10L

Für weitere Daten siehe Datenblatt klick hier.

100 V, 12.8 A, 180 mΩ, 65W

Features

• 12.8 A, 100 V, R DS(on) = 180 mΩ (Max.) @ V GS = 10 V, I D= 6.4 A
• Low Gate Charge (Typ. 12 nC)
• Low Crss (Typ. 20 pF)
• 100% Avalanche Tested
• 175°C Maximum Junction Temperature Rating